Transistor de canal N IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

Transistor de canal N IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.02€
5-24
1.69€
25-49
1.47€
50-99
1.34€
100+
1.15€
Quantidade em estoque: 147

Transistor de canal N IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 1300pF. Custo): 330pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 56A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:08

Documentação técnica (PDF)
IRF644
30 parâmetros
DI (T=100°C)
8.5A
DI (T=25°C)
14A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.28 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
250V
C (pol.)
1300pF
Custo)
330pF
Diodo Trr (mín.)
250 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
56A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
53 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier