Transistor de canal N IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (dreno para tensão da fonte): 200V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 200V. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO220. Características: -. Corrente máxima de drenagem: 18A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 18A. Informação: -. MSL: -. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Polaridade: MOSFET N. Potência: 125W. Série: -. Tensão de condução: 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: VISHAY IR. Quantidade mínima: 3. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:35