Transistor de canal N IRF640NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 200V. Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 18A. Marcação do fabricante: F640NS. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 20:56