Transistor de canal N IRF630, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA, 0.35 Ohms, TO-220, 200V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. C (pol.): 540pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Cobrar: 23.3nC. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Corrente de drenagem: 9.5A. Custo): 90pF. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Comutação de alta corrente. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 9A. IDss (min): 1uA. Id(im): 36A. Marcação do fabricante: IRF630. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Polaridade: unipolar. Potência: 82W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1.83K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão da fonte de drenagem: 200V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:08