Transistor de canal N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB
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Transistor de canal N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (dreno para tensão da fonte): 100V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO220AB. Características: -. Corrente máxima de drenagem: 14A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 14A. Informação: -. MSL: -. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. Polaridade: MOSFET N. Potência: 75W. Série: -. Tensão de condução: 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: VISHAY IR. Quantidade mínima: 5. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:35
IRF530PBF
16 parâmetros
Vdss (dreno para tensão da fonte)
100V
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
100V
On-resistência Rds On
0.16 Ohms
Carcaça
TO220AB
Corrente máxima de drenagem
14A
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
14A
Pd (dissipação de energia, máx.)
79W
Polaridade
MOSFET N
Potência
75W
Tensão de condução
10V
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de canal
N
Tipo de montagem
THT
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Produto original do fabricante
VISHAY IR
Quantidade mínima
5