Transistor de canal N IRF530NPBF-IR, TO-220AB, 100V

Transistor de canal N IRF530NPBF-IR, TO-220AB, 100V

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4.07€
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3.05€
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Transistor de canal N IRF530NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 35 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 920pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 17A. Marcação do fabricante: IRF530NPBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.2 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:42

Documentação técnica (PDF)
IRF530NPBF-IR
16 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
100V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
35 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
920pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.09 Ohms @ 9A
Dissipação máxima Ptot [W]
70W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
17A
Marcação do fabricante
IRF530NPBF
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
9.2 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Produto original do fabricante
International Rectifier