Transistor de canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V

Transistor de canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-9
1.27€
10+
1.05€
Quantidade em estoque: 1174

Transistor de canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 9.2A. Marcação do fabricante: IRF520PBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.8 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:22

Documentação técnica (PDF)
IRF520PBF-IR
16 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
100V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
19 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
360pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.27 Ohms @ 5.5A
Dissipação máxima Ptot [W]
60W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
9.2A
Marcação do fabricante
IRF520PBF
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
8.8 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Produto original do fabricante
Vishay (ir)