Transistor de canal N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 360pF. Cobrar: 16.7nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 9.7A. Custo): 150pF. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Função: Baixa carga de entrada. IDss (min): 25uA. Id(im): 37A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Polaridade: unipolar. Potência: 48W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 3.1K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00