Transistor de canal N IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 4.7M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 2980pF. Custo): 1770pF. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Função: DC-DC isolado de alta frequência. IDss (min): 20uA. Id(im): 440A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00