Transistor de canal N IRF3710Z, TO220, TO220AB. Carcaça: TO220, TO220AB. Cobrar: 82nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 59A. Montagem/instalação: THT. Polaridade: unipolar. Potência: 160W. Resistência térmica da habitação: 920mK/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produto original do fabricante: Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:15