Transistor de canal N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

Transistor de canal N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V

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1-49
4.23€
50+
2.77€
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Transistor de canal N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3130pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 57A. Marcação do fabricante: F3710S. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:06

Documentação técnica (PDF)
IRF3710SPBF
17 parâmetros
Carcaça
D²-PAK
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-263
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
100V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
45 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
3130pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.023 Ohms @ 28A
Dissipação máxima Ptot [W]
200W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
57A
Marcação do fabricante
F3710S
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
12 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Produto original do fabricante
International Rectifier