Transistor de canal N IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3000pF. Custo): 640pF. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 180A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00