Transistor de canal N IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms
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Transistor de canal N IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 150V. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. : aprimorado. Cobrar: 133.3nC. Corrente de drenagem: 43A. Corrente máxima de drenagem: 43A. Embalagem: tubus. Montagem/instalação: THT. Polaridade: unipolar. Potência: 200W. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 150V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: N-MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 06:37
IRF3415PBF
16 parâmetros
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
150V
On-resistência Rds On
0.042 Ohms
aprimorado
Cobrar
133.3nC
Corrente de drenagem
43A
Corrente máxima de drenagem
43A
Embalagem
tubus
Montagem/instalação
THT
Polaridade
unipolar
Potência
200W
Tecnologia
HEXFET®
Tensão da fonte de drenagem
150V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
N-MOSFET
Produto original do fabricante
Infineon Technologies