Transistor de canal N IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 1300pF. Custo): 300pF. Diodo Trr (mín.): 174 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 108A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00