Transistor de canal N IRF3205PBF, TO220AB, 55V, 55V. Carcaça: TO220AB. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3247pF. Características: -. Cobrar: 97.3nC. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Corrente de drenagem: 110A. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 98A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 110A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRF3205PBF. Montagem/instalação: THT. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Polaridade: unipolar. Potência: 150W. Resistência térmica da habitação: 1K/W. RoHS: sim. Série: HEXFET. Tecnologia: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de condução: 10V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:06