Transistor de canal N IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor de canal N IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.04€
5-24
2.72€
25-49
2.47€
50-99
2.29€
100+
1.99€
Quantidade em estoque: 57

Transistor de canal N IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.9M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 5110pF. Custo): 1190pF. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Função: Troca Rápida, Aplicações Automotivas. IDss (min): 20uA. Id(im): 700A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 68 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00

Documentação técnica (PDF)
IRF2805
30 parâmetros
DI (T=100°C)
43A
DI (T=25°C)
75A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
3.9M Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
5110pF
Custo)
1190pF
Diodo Trr (mín.)
80 ns
Função
Troca Rápida, Aplicações Automotivas
IDss (min)
20uA
Id(im)
700A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
330W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
68 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier