Transistor de canal N IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Transistor de canal N IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.38€
5-24
2.09€
25-49
1.87€
50-99
1.71€
100+
1.50€
Quantidade em estoque: 69

Transistor de canal N IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0078 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 5600pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 890pF. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. IDss (min): 20uA. Id(im): 520A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00

Documentação técnica (PDF)
IRF1407
33 parâmetros
DI (T=100°C)
92A
DI (T=25°C)
130A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.0078 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
75V
C (pol.)
5600pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
890pF
Diodo Trr (mín.)
110 ns
Função
AUTOMOTIVE MOSFET
IDss (min)
20uA
Id(im)
520A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
330W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
150 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão limite do diodo
1.3V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier