Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF

Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF
Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 2.52€ 3.10€
5 - 9 2.39€ 2.94€
10 - 24 2.32€ 2.85€
25 - 49 2.27€ 2.79€
50 - 65 2.22€ 2.73€
Quantidade U.P
1 - 4 2.52€ 3.10€
5 - 9 2.39€ 2.94€
10 - 24 2.32€ 2.85€
25 - 49 2.27€ 2.79€
50 - 65 2.22€ 2.73€
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Quantidade em estoque : 65
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF. Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0037 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 4780pF. Custo): 770pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 600A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 10/06/2025, 00:25.

Também recomendamos :

Também recomendamos :

Informações e ajuda técnica

Pelo telefone :

Pagamento e entrega

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Assine o boletim informativo

Concordo em receber e-mails e entendo que posso cancelar a inscrição a qualquer momento após o registro.

Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.