Transistor de canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V

Transistor de canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.75€
5-24
2.36€
25-49
2.09€
50-99
1.90€
100+
1.63€
Quantidade em estoque: 95

Transistor de canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 118A. DI (T=25°C): 169A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0046 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 5480pF. Cobrar: 170nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 133A. Custo): 1210pF. Diodo Trr (mín.): 88 ns. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. IDss (min): 20uA. Id(im): 680A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. Polaridade: unipolar. Potência: 200W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 450mK/W. RoHS: sim. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00

Documentação técnica (PDF)
IRF1405
39 parâmetros
Carcaça
TO-220
DI (T=100°C)
118A
DI (T=25°C)
169A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.0046 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
5480pF
Cobrar
170nC
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
133A
Custo)
1210pF
Diodo Trr (mín.)
88 ns
Função
AUTOMOTIVE MOSFET
IDss (min)
20uA
Id(im)
680A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
330W
Polaridade
unipolar
Potência
200W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência térmica da habitação
450mK/W
RoHS
sim
Spec info
Rds-on 0.0046 Ohms max
Td(desligado)
130 ns
Td(ligado)
13 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
55V
Tensão de fonte de porta
20V, ±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier