Transistor de canal N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V

Transistor de canal N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.51€
5-24
2.19€
25-49
1.97€
50-99
1.80€
100+
1.58€
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Transistor de canal N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 162A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.5m Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 7360pF. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 202A. Custo): 1680pF. Diodo Trr (mín.): 71 ns. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. IDss (min): 20uA. Id(im): 650A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Polaridade: unipolar. Potência: 200W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 750mK/W. RoHS: sim. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 40V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00

Documentação técnica (PDF)
IRF1404
37 parâmetros
Carcaça
TO-220
DI (T=100°C)
115A
DI (T=25°C)
162A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
3.5m Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
40V
C (pol.)
7360pF
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
202A
Custo)
1680pF
Diodo Trr (mín.)
71 ns
Função
AUTOMOTIVE MOSFET
IDss (min)
20uA
Id(im)
650A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Polaridade
unipolar
Potência
200W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência térmica da habitação
750mK/W
RoHS
sim
Td(desligado)
72 ns
Td(ligado)
17 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
40V
Tensão de fonte de porta
20V, ±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier