Transistor de canal N IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 249A. DI (T=25°C): 353A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.2m Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 24V. C (pol.): 5790pF. Cobrar: 160nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 353A. Custo): 3440pF. Diodo Trr (mín.): 46 ns. Função: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. IDss (min): 20uA. Id(im): 1412A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Polaridade: unipolar. Potência: 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 500mK/W. RoHS: sim. Td(desligado): 83 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 24V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00