Transistor de canal N IRF1310N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1900pF. Custo): 450pF. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. IDss (min): 25uA. Id(im): 140A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00