Transistor de canal N IPN70R600P7SATMA1, 6m Ohms, PG-SOT223. On-resistência Rds On: 6m Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): PG-SOT223. Condicionamento: rolo. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 6.9W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00