Transistor de canal N IPD050N03L-GATMA1, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.0058 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2400pF. Custo): 920pF. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 350A. Marcação na caixa: 050N03L. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. RoHS: sim. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 6.7 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00