Transistor de canal N IPD034N06N3GATMA1, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 2.8m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 8000pF. Custo): 1700pF. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Função: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. IDss (min): 0.01uA. Id(im): 400A. Marcação na caixa: 034N06N. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 63 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00