Transistor de canal N IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2360pF. Custo): 610pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: Qualificação automotiva AEC Q101. IDss (min): 0.01uA. Id(im): 320A. Marcação na caixa: 2N0609. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: resistência ultrabaixa. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00