Transistor de canal N IPB80N03S4L-02, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 7500pF. Custo): 1900pF. Diodo Trr (mín.): 120ns. Função: Qualificação automotiva AEC Q101. IDss (min): 0.01uA. Id(im): 320A. Marcação na caixa: 4N03L02. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: resistência ultrabaixa. Td(desligado): 62 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00