Transistor de canal N IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. On-resistência Rds On: 2.1M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO263-7. Condicionamento: rolo. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: OptiMOS Power. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00