Transistor de canal N IPA80R1K0CEXKSA2, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.83 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 785pF. Custo): 33pF. Diodo Trr (mín.): 520 ns. Função: ID pulse 18A. IDss (min): 10uA. Id(im): 18A. Marcação na caixa: 8R1K0CE. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: caixa completamente isolada (2500VAC/60s). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: -20V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00