Transistor de canal N IPA60R600E6, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 440pF. Custo): 30pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Função: ID pulse 19A. IDss (min): 1uA. Id(im): 19A. Marcação na caixa: 6R600E6. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: caixa completamente isolada (2500VAC/60s). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 28W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:00