Transistor de canal N IKW50N60H3, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 116pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 100A. Custo): 2960pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Diodo de germânio: não. Função: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Ic(pulso): 200A. Marcação na caixa: K50H603. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 333W. RoHS: sim. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop. Td(desligado): 235 ns. Td(ligado): 23 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão limite do diodo: 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35