Transistor de canal N IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V. Carcaça: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247N. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 2330pF. Corrente do coletor: 80A. Custo): 185pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Diodo de germânio: não. Diodo embutido: sim. Função: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: K40H1203. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 483W. Potência: 483W. RoHS: sim. Td(desligado): 290 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão coletor-emissor: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.05V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: Transistor IGBT. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35