Transistor de canal N IKW25T120, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1860pF. Corrente do coletor: 50A. Custo): 96pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Diodo de germânio: não. Função: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop. Ic(pulso): 75A. Marcação na caixa: K25T120. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Td(desligado): 560 ns. Td(ligado): 50 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.2V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35