Transistor de canal N IKP15N60T, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 860pF. Corrente do coletor: 15A. Custo): 55pF. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: IGBT de alta velocidade em tecnologia NPT. Ic(pulso): 45A. Marcação na caixa: K15T60. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Td(desligado): 188 ns. Td(ligado): 17 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.05V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35