Transistor de canal N IHW30N135R5XKSA1, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V

Transistor de canal N IHW30N135R5XKSA1, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V

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Transistor de canal N IHW30N135R5XKSA1, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1350V. C (pol.): 1810pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 60A. Custo): 50pF. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: Cozinha indutiva, fornos de microondas. Ic(pulso): 90A. Marcação na caixa: H30PR5. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(desligado): 310 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.95V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35

IHW30N135R5XKSA1
28 parâmetros
Ic(T=100°C)
30A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
PG-TO247-3
Tensão do coletor/emissor Vceo
1350V
C (pol.)
1810pF
Condicionamento
tubo de plástico
Corrente do coletor
60A
Custo)
50pF
Diodo CE
sim
Diodo de germânio
não
Função
Cozinha indutiva, fornos de microondas
Ic(pulso)
90A
Marcação na caixa
H30PR5
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
330W
RoHS
sim
Spec info
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Td(desligado)
310 ns
Temperatura operacional
-40...+175°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1.65V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1.95V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
5.1V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
6.4V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Unidade de condicionamento
30
Produto original do fabricante
Infineon Technologies