Transistor de canal N IHW20N135R3, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1350V. C (pol.): 1500pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 40A. Custo): 55pF. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: Inductive?cooking. Ic(pulso): 60A. Marcação na caixa: H20R1353. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(desligado): 405 ns. Td(ligado): 335 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35