Transistor de canal N IHW20N120R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V

Transistor de canal N IHW20N120R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
6.26€
5-14
5.41€
15-29
4.88€
30-59
4.52€
60+
4.02€
Quantidade em estoque: 37

Transistor de canal N IHW20N120R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1340pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 40A. Custo): 43pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Diodo de germânio: não. Função: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Ic(pulso): 60A. Marcação na caixa: H20MR5. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 288W. RoHS: sim. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Td(desligado): 350 ns. Td(ligado): 260 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.75V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35

IHW20N120R5
31 parâmetros
Ic(T=100°C)
20A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
PG-TO247-3
Tensão do coletor/emissor Vceo
1200V
C (pol.)
1340pF
Condicionamento
tubo de plástico
Corrente do coletor
40A
Custo)
43pF
Diodo CE
sim
Diodo Trr (mín.)
90 ns
Diodo de germânio
não
Função
Powerful monolithic body diode with low forward voltage
Ic(pulso)
60A
Marcação na caixa
H20MR5
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
288W
RoHS
sim
Spec info
Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed)
Td(desligado)
350 ns
Td(ligado)
260 ns
Tecnologia
TRENCHSTOP TM technology
Temperatura operacional
-40...+175°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1.55V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1.75V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
5.1V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
6.4V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Unidade de condicionamento
30
Produto original do fabricante
Infineon Technologies