Transistor de canal N IHW20N120R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V
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Transistor de canal N IHW20N120R5, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1340pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 40A. Custo): 43pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Diodo de germânio: não. Função: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Ic(pulso): 60A. Marcação na caixa: H20MR5. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 288W. RoHS: sim. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Td(desligado): 350 ns. Td(ligado): 260 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.75V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35