Transistor de canal N IGW75N60H3, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 4620pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 140A. Custo): 240pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Função: VCEsat muito baixo. Ic(pulso): 225A. Marcação na caixa: G75H603. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 428W. Prazo de entrega: KB. RoHS: sim. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop. Td(desligado): 265 ns. Td(ligado): 31 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.25V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 25. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35