Transistor de canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor de canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.61€
5-24
3.14€
25-49
2.83€
50+
2.56€
Quantidade em estoque: 48

Transistor de canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3790pF. Custo): 810pF. Diodo Trr (mín.): 145 ns. Função: UltraFET Power MOSFET. IDss (min): 1uA. Id(im): 430A. Marcação na caixa: 75645 P. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19

HUF75645P3
31 parâmetros
DI (T=100°C)
65A
DI (T=25°C)
75A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.0115 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
3790pF
Custo)
810pF
Diodo Trr (mín.)
145 ns
Função
UltraFET Power MOSFET
IDss (min)
1uA
Id(im)
430A
Marcação na caixa
75645 P
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
310W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
41 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
UltraFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Fairchild