Transistor de canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Transistor de canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.91€
5-49
0.72€
50-99
0.61€
100+
0.54€
Quantidade em estoque: 50

Transistor de canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 250pF. Custo): 100pF. Diodo Trr (mín.): 45 ns. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75307D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Harris. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19

Documentação técnica (PDF)
HUF75307D3
28 parâmetros
DI (T=25°C)
13A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.09 Ohms
Carcaça
TO-251 ( I-Pak )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
250pF
Custo)
100pF
Diodo Trr (mín.)
45 ns
IDss (min)
1uA
Marcação na caixa
75307D
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
35W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
35 ns
Td(ligado)
7 ns
Tecnologia
UltraFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Harris