Transistor de canal N HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Corrente do coletor: 25A. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Ic(pulso): 40A. Marcação na caixa: 5N120BND. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Td(desligado): 182 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19