Transistor de canal N HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V

Transistor de canal N HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V

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Transistor de canal N HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Ic(T=100°C): 23A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 54A. Corrente do coletor: 54A. Data de produção: 2014/17. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 167W. Família de componentes: Transistor IGBT. Função: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. IP de corrente de pico de coletor [A]: 96A. Ic(pulso): 96A. Marcação do fabricante: 12N60A4D. Marcação na caixa: 12N60A4D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Td(desligado): 96 ns. Td(ligado): 17 ns. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.6V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19

Documentação técnica (PDF)
HGTG12N60A4D
40 parâmetros
Carcaça
TO-247
Ic(T=100°C)
23A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247 ( AC )
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
110 ns
Condicionamento
tubo de plástico
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
54A
Corrente do coletor
54A
Data de produção
2014/17
Diodo CE
não
Diodo de germânio
não
Dissipação máxima Ptot [W]
167W
Família de componentes
Transistor IGBT
Função
SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
IP de corrente de pico de coletor [A]
96A
Ic(pulso)
96A
Marcação do fabricante
12N60A4D
Marcação na caixa
12N60A4D
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
167W
RoHS
sim
Spec info
>100kHz, 390V, 12A
Td(desligado)
96 ns
Td(ligado)
17 ns
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tempo de ativação ton [nseg.]
17 ns
Tensão coletor-emissor Uce [V]
600V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
5.6V
Tensão de saturação VCE(sat)
2V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
2.7V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
5.6V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
5.6V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Unidade de condicionamento
30
Produto original do fabricante
Fairchild