Transistor de canal N GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Carcaça: TO-3P( N )IS. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Corrente do coletor: 37A. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: Aplicações de comutação de alta potência. Ic(pulso): 100A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Td(desligado): 0.51 ns. Td(ligado): 0.33 ns. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19