Transistor de canal N GT30J324, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 4650pF. Corrente do coletor: 30A. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: Aplicações de comutação de alta potência. Ic(pulso): 60A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Td(desligado): 0.3 ns. Td(ligado): 0.09 ns. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.45V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19