Transistor de canal N GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P( GCE ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Corrente do coletor: 30A. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: Comutação do inversor de ressonância de corrente. Ic(pulso): 100A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Td(desligado): 400 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.1V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19