Transistor de canal N G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 5.3m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 1800pF. Condicionamento: rolo. Custo): 280pF. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Função: comutação de energia, conversores DC/DC. IDss (min): n/a. Id(im): 200A. Marcação na caixa: G60N04K. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 2500. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.1V. Produto original do fabricante: Goford Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19