Transistor de canal N FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 1.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1380pF. Custo): 140pF. Função: HIGH-SPEED SW.. IDss (min): 10uA. Id(im): 21A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19