Transistor de canal N FS75R12KE3GBOSA1, 75A, outro, outro, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Carcaça: outro. Habitação (conforme ficha técnica): outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 5300pF. Corrente do coletor: 100A. Dimensões: 122x62x17.5mm. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: ICRM 150A Tp=1ms. Ic(pulso): 150A. Marcação na caixa: FS75R12KE3G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Número de terminais: 35. Pd (dissipação de energia, máx.): 355W. RoHS: sim. Td(desligado): 42us. Td(ligado): 26us. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.15V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Eupec/infineon. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19