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Transistor de canal N FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V
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Transistor de canal N FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 10A. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Função: Ifsm--30App. Id(im): 30A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Quantidade por caixa: 1. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19
FS10TM12
14 parâmetros
DI (T=25°C)
10A
On-resistência Rds On
0.72 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
600V
Função
Ifsm--30App
Id(im)
30A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
65W
Quantidade por caixa
1
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Mitsubishi Electric Semiconductor