Transistor de canal N FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 9.3 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 130pF. Custo): 19pF. Diodo Trr (mín.): 190 ns. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FQT1N60C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. Proteção GS: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 7 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 20:19